东芝
None
商品列表
TA78M05F(TE16L1,NQ
供应商: RS
分类: 线性稳压器
描述: 东芝 线性稳压器, →10 35 V输入, 5.25 V输出, ±4%精确度, 500mA最大输出, 3引脚 HSOP
输出电压: 5.25 V 最大输出电流: 500mA 封装类型: HSOP 输出类型: 固定 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 10 V 最大输入电压: 35 V 引脚数目: 3 最低工作温度: -30 °C 最高工作温度: +150 °C 输出数目: 1 极性: 正极 典型压差电压@电流: 1.7V 线路调节: 100 mV 长度: 6.5mm 高度: 5.5mm 负荷调节: 100 mV 尺寸: 6.5 x 5.5 x 2.3mm 静态电流: 8mA 精确度: ±4% 宽度: 5.5mm
供应商: RS
分类: 线性稳压器
描述: 东芝 线性稳压器, →10 35 V输入, 5.25 V输出, ±4%精确度, 500mA最大输出, 3引脚 HSOP
输出电压: 5.25 V 最大输出电流: 500mA 封装类型: HSOP 输出类型: 固定 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 10 V 最大输入电压: 35 V 引脚数目: 3 最低工作温度: -30 °C 最高工作温度: +150 °C 输出数目: 1 极性: 正极 典型压差电压@电流: 1.7V 线路调节: 100 mV 长度: 6.5mm 高度: 5.5mm 负荷调节: 100 mV 尺寸: 6.5 x 5.5 x 2.3mm 静态电流: 8mA 精确度: ±4% 宽度: 5.5mm
TC7SZ07F
供应商: RS
分类: 缓冲器
描述: 东芝 施密特缓冲器, 非反相极, SOT-25封装, 5引脚, 表面贴装安装
通道数目: 1 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 最大高电平输出电流: -32mA 最大低电平输出电流: 32mA 最长传播延迟时间@最长CL: 12 ns @ 50 pF 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.05mm 最小工作电源电压: 1.65 V 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF 汽车标准: AEC-Q100 长度: 2.9mm 最大工作电源电压: 5.5 V 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.6mm 高度: 1.05mm
供应商: RS
分类: 缓冲器
描述: 东芝 施密特缓冲器, 非反相极, SOT-25封装, 5引脚, 表面贴装安装
通道数目: 1 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 最大高电平输出电流: -32mA 最大低电平输出电流: 32mA 最长传播延迟时间@最长CL: 12 ns @ 50 pF 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.05mm 最小工作电源电压: 1.65 V 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF 汽车标准: AEC-Q100 长度: 2.9mm 最大工作电源电压: 5.5 V 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.6mm 高度: 1.05mm
TK8Q60W,S1VQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 500 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 18.5 nC @ 10 V 高度: 7.12mm 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 宽度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 8 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 500 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 80 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 18.5 nC @ 10 V 高度: 7.12mm 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 宽度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV
TC7WG125FK(TE85L,F
供应商: RS
分类: 总线缓冲器
描述: TC7WG125FK(TE85L,F CMOS 双总线缓冲器, 58.1 ns@ 30 pF, 8mA, 0.9 → 3.6 V, 8引脚 SSOP封装
逻辑系列: CMOS 最长传播延迟时间@最长CL: 58.1 ns@ 30 pF 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 8 尺寸: 2.9 x 2.8 x 1.1mm 高度: 1.1mm 长度: 2.9mm 最大工作电源电压: 3.6 V 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 2.8mm 最小工作电源电压: 0.9 V 传输延迟测试条件: 15pF
供应商: RS
分类: 总线缓冲器
描述: TC7WG125FK(TE85L,F CMOS 双总线缓冲器, 58.1 ns@ 30 pF, 8mA, 0.9 → 3.6 V, 8引脚 SSOP封装
逻辑系列: CMOS 最长传播延迟时间@最长CL: 58.1 ns@ 30 pF 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 8 尺寸: 2.9 x 2.8 x 1.1mm 高度: 1.1mm 长度: 2.9mm 最大工作电源电压: 3.6 V 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 2.8mm 最小工作电源电压: 0.9 V 传输延迟测试条件: 15pF
SSM3K56FS,LF(T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K56FS,LF(T, 800mA, Vds=20 V, 3引脚 2-2H1S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 800mA 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 235 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大栅源电压: ±8 V 封装类型: 2-2H1S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 典型栅极电荷@Vgs: 1 nC @ 4.5 V 长度: 1.6mm 高度: 0.65mm 典型输入电容值@Vds: 55 pF @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.65mm 正向二极管电压: 1.2V 典型关断延迟时间: 8.5 ns 正向跨导: 1.4S 典型接通延迟时间: 5.5 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 0.8mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K56FS,LF(T, 800mA, Vds=20 V, 3引脚 2-2H1S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 800mA 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 235 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大栅源电压: ±8 V 封装类型: 2-2H1S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 典型栅极电荷@Vgs: 1 nC @ 4.5 V 长度: 1.6mm 高度: 0.65mm 典型输入电容值@Vds: 55 pF @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.6 x 0.8 x 0.65mm 正向二极管电压: 1.2V 典型关断延迟时间: 8.5 ns 正向跨导: 1.4S 典型接通延迟时间: 5.5 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 0.8mm
TK8A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 7.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 650 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 15mm 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 长度: 10mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 7.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 650 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 15mm 系列: DTMOSIV 宽度: 4.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V 长度: 10mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V
TK6A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 高度: 15mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.5mm 长度: 10mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 高度: 15mm
TLP785(Y,F(C
供应商: RS
分类: 光电耦合器
描述: Toshiba东芝 光耦 TLP785 系列, 通孔安装安装, 直流输入, 4引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.3V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: DIP 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 2µs 最大输入电流: 60（正向电流）mA 隔离电压: 5000 Vrms 最大电流传输比: 150% 典型下降时间: 3µs 最小电流传输率: 50% 系列: TLP785
供应商: RS
分类: 光电耦合器
描述: Toshiba东芝 光耦 TLP785 系列, 通孔安装安装, 直流输入, 4引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.3V 通道数目: 1 针数目: 4 封装类型: DIP 输入电流类型: 直流 典型上升时间: 2µs 最大输入电流: 60（正向电流）mA 隔离电压: 5000 Vrms 最大电流传输比: 150% 典型下降时间: 3µs 最小电流传输率: 50% 系列: TLP785