SSM3K56FS,LF(T
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K56FS,LF(T, 800mA, Vds=20 V, 3引脚 2-2H1S封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 800mA |
| 最大漏源电压: | 20 V |
| 最大漏源电阻值: | 235 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 1V |
| 最小栅阈值电压: | 0.4V |
| 最大栅源电压: | ±8 V |
| 封装类型: | 2-2H1S |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大功率耗散: | 150 mW |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 1 nC @ 4.5 V |
| 长度: | 1.6mm |
| 高度: | 0.65mm |
| 典型输入电容值@Vds: | 55 pF @ 10 V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 尺寸: | 1.6 x 0.8 x 0.65mm |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 典型关断延迟时间: | 8.5 ns |
| 正向跨导: | 1.4S |
| 典型接通延迟时间: | 5.5 ns |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 0.8mm |