TK8Q60W,S1VQ(S

品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 8 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:8 A
最大漏源电压:600 V
封装类型:IPAK (TO-251)
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:500 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:3.7V
最小栅阈值电压:2.7V
最大功率耗散:80 W
最大栅源电压:-30 V、+30 V
每片芯片元件数目:1
典型栅极电荷@Vgs:18.5 nC @ 10 V
高度:7.12mm
长度:6.65mm
晶体管材料:Si
宽度:2.3mm
最高工作温度:+150 °C
正向二极管电压:1.7V
系列:DTMOSIV