IRL3714ZSPBF

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=20 V, 36 A, 3引脚 D2PAK封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:36 A
最大漏源电压:20 V
最大漏源电阻值:16 mΩ
最大栅阈值电压:2.55V
最小栅阈值电压:1.65V
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:D2PAK
安装类型:表面贴装
晶体管配置:
引脚数目:3
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:35 W
典型输入电容值@Vds:550 pF @ 10 V
最高工作温度:+175 °C
系列:HEXFET
高度:4.83mm
典型接通延迟时间:6 ns
每片芯片元件数目:1
宽度:9.65mm
典型关断延迟时间:10 ns
典型栅极电荷@Vgs:4.8 nC @ 4.5 V
最低工作温度:-55 °C
尺寸:10.67 x 9.65 x 4.83mm
长度:10.67mm