IRF6724MTR1PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 27 A, 7引脚 DirectFET MX封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 27 A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 最大漏源电阻值: | 3 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 2.35V |
| 最小栅阈值电压: | 1.35V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | DirectFET MX |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 引脚数目: | 7 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 2800 mW |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 5.45mm |
| 尺寸: | 5.45 x 5.05 x 0.6mm |
| 典型关断延迟时间: | 23 ns |
| 高度: | 0.6mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型接通延迟时间: | 11 ns |
| 最低工作温度: | -40 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 33 nC @ 4.5 V |
| 典型输入电容值@Vds: | 4404 pF @ 15 V |
| 宽度: | 5.05mm |
| 系列: | DirectFET, HEXFET |