英飞凌
None
商品列表
IRLML2502TRPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, IRLML2502系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.2 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 80 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.6V 最大功率耗散: 1.25 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 宽度: 1.4mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.04mm 典型栅极电荷@Vgs: 8 nC @ 5 V 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, IRLML2502系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.2 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 80 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.6V 最大功率耗散: 1.25 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 宽度: 1.4mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.04mm 典型栅极电荷@Vgs: 8 nC @ 5 V 最高工作温度: +150 °C
BAS16S
供应商: RS
分类: 开关二极管
描述: 英飞凌 开关二极管, Iout=200mA, 表面贴装安装, Vrev=80V, SOT-363 (SC-88)封装, 三, 6引脚
最大正向电流: 200mA 二极管配置: 隔离式 每片芯片元件数目: 3 安装类型: 表面贴装 最大反向电压: 80V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 二极管技术: 硅结型 最大正向电压降: 1.25V 引脚数目: 6 最大二极管电容值: 2pF 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm 宽度: 1.25mm 高度: 0.8mm 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
供应商: RS
分类: 开关二极管
描述: 英飞凌 开关二极管, Iout=200mA, 表面贴装安装, Vrev=80V, SOT-363 (SC-88)封装, 三, 6引脚
最大正向电流: 200mA 二极管配置: 隔离式 每片芯片元件数目: 3 安装类型: 表面贴装 最大反向电压: 80V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 二极管技术: 硅结型 最大正向电压降: 1.25V 引脚数目: 6 最大二极管电容值: 2pF 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm 宽度: 1.25mm 高度: 0.8mm 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
IRLR8259PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 57 A, 3引脚 D-PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D-PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 48 W 高度: 2.39mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.39mm 宽度: 6.22mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 8.4 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 900 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 9.1 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 57 A, 3引脚 D-PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D-PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 48 W 高度: 2.39mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.39mm 宽度: 6.22mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 8.4 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 900 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 9.1 ns
IRF6646TR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=80 V, 12 A, 5引脚 DirectFET MN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 10 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2800 mW 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 典型栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 10 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=80 V, 12 A, 5引脚 DirectFET MN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 10 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2800 mW 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 典型栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 10 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C
IRF2903ZSPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 235 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 235 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 231000 mW 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 160 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 长度: 10.67mm 高度: 4.83mm 系列: HEXFET
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 235 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 235 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 231000 mW 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 160 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 长度: 10.67mm 高度: 4.83mm 系列: HEXFET
BCM846S
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 英飞凌 晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 65 V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 晶体管配置: 隔离式 最大集电极-基极电压: 80 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 6 每片芯片元件数目: 2
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 英飞凌 晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 65 V 封装类型: SOT-363 (SC-88) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 晶体管配置: 隔离式 最大集电极-基极电压: 80 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 6 每片芯片元件数目: 2
IRFU3710ZPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 56 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 56 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 18 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 140 W 典型输入电容值@Vds: 2930 pF@ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 69 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 53 ns 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 14 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 长度: 6.6mm 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 6.1mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 56 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 56 A 最大漏源电压: 100 V 最大漏源电阻值: 18 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 140 W 典型输入电容值@Vds: 2930 pF@ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 69 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 53 ns 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 14 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 长度: 6.6mm 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 6.1mm
BTS4130QGAXUMA1
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 4输出 智能电源开关, 高侧开关, 1.8A, 20V, 20引脚 DSO封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 130mΩ 输出数目: 4 电压: 20V 电流: 1.8A 安装类型: 表面贴装 封装类型: DSO 引脚数目: 20 尺寸: 15.9 x 11 x 3.25mm 长度: 15.9mm 宽度: 11mm 高度: 3.25mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 4输出 智能电源开关, 高侧开关, 1.8A, 20V, 20引脚 DSO封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 130mΩ 输出数目: 4 电压: 20V 电流: 1.8A 安装类型: 表面贴装 封装类型: DSO 引脚数目: 20 尺寸: 15.9 x 11 x 3.25mm 长度: 15.9mm 宽度: 11mm 高度: 3.25mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
IPW65R037C6
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, CoolMOS C6系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 83 A 最大漏源电压: 700 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 37 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 500 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 宽度: 5.21mm 典型栅极电荷@Vgs: 330 nC @ 10 V 长度: 16.13mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, CoolMOS C6系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 83 A 最大漏源电压: 700 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 37 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 500 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 宽度: 5.21mm 典型栅极电荷@Vgs: 330 nC @ 10 V 长度: 16.13mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1