

IRLML2502TRPBF
品牌
英飞凌
供应商

分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌, IRLML2502系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23封装
物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 4.2 A |
最大漏源电压: | 20 V |
封装类型: | SOT-23 |
安装类型: | 表面贴装 |
引脚数目: | 3 |
最大漏源电阻值: | 80 mΩ |
通道模式: | 增强 |
最大栅阈值电压: | 1.2V |
最小栅阈值电压: | 0.6V |
最大功率耗散: | 1.25 W |
晶体管配置: | 单 |
最大栅源电压: | ±12 V |
宽度: | 1.4mm |
每片芯片元件数目: | 1 |
长度: | 3.04mm |
典型栅极电荷@Vgs: | 8 nC @ 5 V |
最高工作温度: | +150 °C |