IRLML2502TRPBF

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌, IRLML2502系列, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:4.2 A
最大漏源电压:20 V
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
最大漏源电阻值:80 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1.2V
最小栅阈值电压:0.6V
最大功率耗散:1.25 W
晶体管配置:
最大栅源电压:±12 V
宽度:1.4mm
每片芯片元件数目:1
长度:3.04mm
典型栅极电荷@Vgs:8 nC @ 5 V
最高工作温度:+150 °C