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IRS20965SPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路 半桥, 2A, 16引脚 SOIC封装
引脚数目: 16 封装类型: SOIC 下降时间: 15ns 输出数目: 2 上升时间: 15ns 高压侧和低压侧相关性: 独立 延时: 500ns 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路 半桥, 2A, 16引脚 SOIC封装
引脚数目: 16 封装类型: SOIC 下降时间: 15ns 输出数目: 2 上升时间: 15ns 高压侧和低压侧相关性: 独立 延时: 500ns 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
IR21363SPBF
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 6路 半桥, 350mA, 12 → 20 V电源, 28引脚 SOIC封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 6 最小工作电源电压: 12 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 表面贴装 峰值输出电流: 350mA 输出数目: 6 极性: 非反相 封装类型: SOIC 引脚数目: 28 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 宽度: 7.6mm 最低工作温度: -40 °C 高度: 2.33mm 长度: 18.1mm 最高工作温度: +125 °C 尺寸: 18.1 x 7.6 x 2.33mm
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 6路 半桥, 350mA, 12 → 20 V电源, 28引脚 SOIC封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 6 最小工作电源电压: 12 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 表面贴装 峰值输出电流: 350mA 输出数目: 6 极性: 非反相 封装类型: SOIC 引脚数目: 28 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 宽度: 7.6mm 最低工作温度: -40 °C 高度: 2.33mm 长度: 18.1mm 最高工作温度: +125 °C 尺寸: 18.1 x 7.6 x 2.33mm
IRS2108PBF
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路 半桥, 0.6A, 8引脚 PDIP封装 非反相 半桥
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 半桥 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 0.6A 输出数目: 2 极性: 非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 8 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 同步 高度: 5.33mm 宽度: 7.11mm 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.92 x 7.11 x 5.33mm 长度: 10.92mm 最高工作温度: +125 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路 半桥, 0.6A, 8引脚 PDIP封装 非反相 半桥
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 半桥 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 0.6A 输出数目: 2 极性: 非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 8 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 同步 高度: 5.33mm 宽度: 7.11mm 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.92 x 7.11 x 5.33mm 长度: 10.92mm 最高工作温度: +125 °C
IR1166STRPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 驱动器 双路 半桥, 4A, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 1 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 驱动器 双路 半桥, 4A, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 1 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
IR25603STRPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路 半桥, 260mA, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路 半桥, 260mA, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
IRFP4321PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 78 A, 3引脚 TO-247AC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 78 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: TO-247AC 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 310 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 71 nC @ 10 V 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 高度: 20.3mm 最高工作温度: +175 °C 宽度: 5.3mm 最低工作温度: -55 °C 系列: HEXFET
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 78 A, 3引脚 TO-247AC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 78 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: TO-247AC 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 310 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 71 nC @ 10 V 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 高度: 20.3mm 最高工作温度: +175 °C 宽度: 5.3mm 最低工作温度: -55 °C 系列: HEXFET
IRS21962SPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, 0.5A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装 非反相 高侧
引脚数目: 16 封装类型: SOIC 输出数目: 2 拓扑: 高侧 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, 0.5A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装 非反相 高侧
引脚数目: 16 封装类型: SOIC 输出数目: 2 拓扑: 高侧 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装
IRS26302DJPBF
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 6路 三相, 0.35A, 44引脚 PLCC封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 6 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 表面贴装 峰值输出电流: 0.35A 输出数目: 6 极性: 非反相 封装类型: PLCC 引脚数目: 44 电桥类型: 三相 输入逻辑兼容性: CMOS，TTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 尺寸: 16.66 x 16.66 x 3.69mm 最高工作温度: +125 °C 长度: 16.66mm 宽度: 16.66mm 高度: 3.69mm 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 6路 三相, 0.35A, 44引脚 PLCC封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 6 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 表面贴装 峰值输出电流: 0.35A 输出数目: 6 极性: 非反相 封装类型: PLCC 引脚数目: 44 电桥类型: 三相 输入逻辑兼容性: CMOS，TTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 尺寸: 16.66 x 16.66 x 3.69mm 最高工作温度: +125 °C 长度: 16.66mm 宽度: 16.66mm 高度: 3.69mm 最低工作温度: -40 °C
BSZ520N15NS3G
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, OptiMOS 3系列, Vds=150 V, TSDSON封装, 21 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: TSDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 52 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 57 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.4mm 长度: 3.4mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 8.7 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 晶体管材料: Si 系列: OptiMOS 3 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, OptiMOS 3系列, Vds=150 V, TSDSON封装, 21 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 150 V 封装类型: TSDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 52 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 57 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.4mm 长度: 3.4mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 8.7 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 晶体管材料: Si 系列: OptiMOS 3 最低工作温度: -55 °C
IRF6710S2TR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 12 A, 7引脚 DirectFET S1封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 6 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET S1 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1.8 W 每片芯片元件数目: 1 长度: 4.85mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V 典型关断延迟时间: 5.2 ns 典型输入电容值@Vds: 1190 pF @ 13 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 7.9 ns 最高工作温度: +175 °C 高度: 0.66mm 尺寸: 4.85 x 3.95 x 0.66mm 宽度: 3.95mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 12 A, 7引脚 DirectFET S1封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 6 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET S1 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1.8 W 每片芯片元件数目: 1 长度: 4.85mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V 典型关断延迟时间: 5.2 ns 典型输入电容值@Vds: 1190 pF @ 13 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 7.9 ns 最高工作温度: +175 °C 高度: 0.66mm 尺寸: 4.85 x 3.95 x 0.66mm 宽度: 3.95mm