

IPW65R037C6
品牌
英飞凌
供应商

分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌, CoolMOS C6系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247封装
物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 83 A |
最大漏源电压: | 700 V |
封装类型: | TO-247 |
安装类型: | 通孔 |
引脚数目: | 3 |
最大漏源电阻值: | 37 mΩ |
通道模式: | 增强 |
最大栅阈值电压: | 3.5V |
最小栅阈值电压: | 2.5V |
最大功率耗散: | 500 W |
晶体管配置: | 单 |
最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
宽度: | 5.21mm |
典型栅极电荷@Vgs: | 330 nC @ 10 V |
长度: | 16.13mm |
最高工作温度: | +150 °C |
晶体管材料: | Si |
每片芯片元件数目: | 1 |