IPW65R037C6

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌, CoolMOS C6系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-247封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:83 A
最大漏源电压:700 V
封装类型:TO-247
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:37 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:3.5V
最小栅阈值电压:2.5V
最大功率耗散:500 W
晶体管配置:
最大栅源电压:-30 V、+30 V
宽度:5.21mm
典型栅极电荷@Vgs:330 nC @ 10 V
长度:16.13mm
最高工作温度:+150 °C
晶体管材料:Si
每片芯片元件数目:1