EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC90132
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2055 40V EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 盒 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2055 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2055 40V EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 盒 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2055 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC2010C
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 12A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（7 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.3 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 100 V 基本产品编号: EPC2010
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 12A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（7 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.3 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 100 V 基本产品编号: EPC2010
EPC9018
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2015，EPC2023 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2015，EPC2023 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC2100ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 基本产品编号: EPC2100
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 基本产品编号: EPC2100
EPC9113
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EVAL BOARD 65V CLASS D WIRELESS
类型: 电源管理 功能: 无线电源/充电 嵌入式: 无 使用的IC/零件: - 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EVAL BOARD 65V CLASS D WIRELESS
类型: 电源管理 功能: 无线电源/充电 嵌入式: 无 使用的IC/零件: - 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC90123
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2218 100V EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 盒 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2218 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2218 100V EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 盒 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2218 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC8003ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.32nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 38pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.32nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 38pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9046
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V UtilizedIC/Part: EPC2029 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V UtilizedIC/Part: EPC2029 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8543.70.9860
EPC2021ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
FET类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 25°C时电流-连续漏极(Id): 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 29A，5V 不同Id时Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 14mA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）: 1700pF @ 40V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
FET类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 25°C时电流-连续漏极(Id): 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 29A，5V 不同Id时Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 14mA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）: 1700pF @ 40V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9029
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC8009 半 H 桥驱动器（外部 FET） 电源管理 Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的IC/零件: EPC8009 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC8009 半 H 桥驱动器（外部 FET） 电源管理 Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的IC/零件: EPC8009 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -