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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
物料参数
| FET类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id): | 60A（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 5V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）: | 2.5 毫欧 @ 29A，5V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 14mA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15nC @ 5V |
| Vgs（最大值）: | +6V，-4V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）: | 1700pF @ 40V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |