EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC9079
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2046 Power Management Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2046 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2046 Power Management Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2046 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPCDESIGNTOOL_LG-EM
供应商: DigiKey
分类: 配件
描述: ENGR DIE ELECTROMIGRATION
制造商: EPC 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 配件类型: 菊花链封装 配套使用/相关产品: -
供应商: DigiKey
分类: 配件
描述: ENGR DIE ELECTROMIGRATION
制造商: EPC 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 配件类型: 菊花链封装 配套使用/相关产品: -
EPC2045ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 16A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7 毫欧 @ 16A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 685pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 16A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7 毫欧 @ 16A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 685pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC21601ENGRT
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 激光驱动器
描述: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
制造商: EPC 系列: - 零件状态: 有源 类型: 激光二极管驱动器 数据速率: - 电压 - 供电: 1.6V ~ 5.5V 电流 - 调制: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - 安装类型: - 通道数: 1 电流 - 供电: 50 mA
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 激光驱动器
描述: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
制造商: EPC 系列: - 零件状态: 有源 类型: 激光二极管驱动器 数据速率: - 电压 - 供电: 1.6V ~ 5.5V 电流 - 调制: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - 安装类型: - 通道数: 1 电流 - 供电: 50 mA
EPC9031
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2023 30V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: * Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2023 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2023 30V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: * Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2023 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
EPC2030
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET NCH 40V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 20 V FET 功能: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET NCH 40V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 20 V FET 功能: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2022
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 60A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 12mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 60A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 12mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 50 V
EPC2100ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 10A（Ta），40A（Ta） 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 10A（Ta），40A（Ta） 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC8010ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.48nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 55pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: -
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.48nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 55pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: -
EPC2020ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.2 毫欧 @ 31A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 16nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1800pF @ 30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.2 毫欧 @ 31A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 16nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1800pF @ 30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具