EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
GANFETBOOK-WIPO2NDEDITION
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 手册 标题: 无线电源手册（第 2 版） 作者: Michael A. de Rooij 出版商: 电源转换出版物 ISBN: 9780996649216
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 手册 标题: 无线电源手册（第 2 版） 作者: Michael A. de Rooij 出版商: 电源转换出版物 ISBN: 9780996649216
EPC2031ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 15mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1800pF @ 300V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.6 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 15mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1800pF @ 300V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.6 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2034ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 31A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 940pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 31A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 940pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2024ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 19mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.5 毫欧 @ 37A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 19mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.5 毫欧 @ 37A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9017
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC2021ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 14mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1700pF @ 40V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5 毫欧 @ 29A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 14mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1700pF @ 40V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5 毫欧 @ 29A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2040ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 15V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.4A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28 毫欧 @ 1.5A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.93nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 100pF @ 6V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 15V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.4A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28 毫欧 @ 1.5A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.93nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 100pF @ 6V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9511
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: MULTI-MODE WIRELESS POWER AMPLIF
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: - Function: Wireless Power Supply/Charging Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: - Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8473.30.1180
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: MULTI-MODE WIRELESS POWER AMPLIF
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: - Function: Wireless Power Supply/Charging Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: - Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8473.30.1180
EPC2007
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.2mA Vgs（最大值）: +6V，-5V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.8 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 205 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.2mA Vgs（最大值）: +6V，-5V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.8 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 205 pF @ 50 V
