EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC2101ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商: EPC 系列: * 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A，38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.7nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 300pF @ 30V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商: EPC 系列: * 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A，38A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.7nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 300pF @ 30V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2102ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 60V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.8nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 830pF @ 30V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 60V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.8nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 830pF @ 30V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2033ENGR
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal ProcedureUsing eGaN® FETs 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 10nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1140pF @ 75V 功率-最大值: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1108-ND- BOARD DEV FOR EPC2033 其它名称: 917-EPC2033ENGR
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal ProcedureUsing eGaN® FETs 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 10nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1140pF @ 75V 功率-最大值: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1108-ND- BOARD DEV FOR EPC2033 其它名称: 917-EPC2033ENGR
EPC21603ENGRT
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 激光驱动器
描述: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
制造商: EPC 系列: - 零件状态: 有源
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 激光驱动器
描述: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
制造商: EPC 系列: - 零件状态: 有源
EPC2012
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100 毫欧 @ 3A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.8nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 145pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100 毫欧 @ 3A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.8nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 145pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2033
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 150V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 9mA FET 功能: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 150 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1140 pF @ 75 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 150V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 9mA FET 功能: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 150 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1140 pF @ 75 V
EPC2100
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），40A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2015CENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 36A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1000pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 36A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1000pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具
EPC9036
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2100 主要属性: 30V，25A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2100 主要属性: 30V，25A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
EPC2108ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） Mosfet 阵列 60V，100V 1.7A，500mA 表面贴装 9-BGA (1.35x1.35)
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V，100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.7A，500mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 9-VFBGA 供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） Mosfet 阵列 60V，100V 1.7A，500mA 表面贴装 9-BGA (1.35x1.35)
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 60V，100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.7A，500mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 9-VFBGA 供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)