EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC2030ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 16mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2046ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 11A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 3.6nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 345pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 200V 11A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 3.6nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 345pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9106
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - 音频放大器
描述: EVAL BOARD FOR EPC2016
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 放大器类型: D 类 输出类型: 2 通道（立体声） 不同负载时最大输出功率 x 通道数: 250W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 供电: ±27V 板类型: 完全填充 使用的 IC/零件: EPC2016 所含物品: 板
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - 音频放大器
描述: EVAL BOARD FOR EPC2016
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 放大器类型: D 类 输出类型: 2 通道（立体声） 不同负载时最大输出功率 x 通道数: 250W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 供电: ±27V 板类型: 完全填充 使用的 IC/零件: EPC2016 所含物品: 板
EPC9002
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001 主要属性: 100V，10A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001 主要属性: 100V，10A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
EPC9059
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2100 电源管理 Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2100 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2100 电源管理 Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2100 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC9099
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2215 200V EGAN FET
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 200V, 15A Max Output GaNFET Capability MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2215 Mfr: EPC Package: Box Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV EPC2215 200V EGAN FET
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 200V, 15A Max Output GaNFET Capability MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2215 Mfr: EPC Package: Box Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
EPC9148
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: DC-DC 44-60VIN 19VOUT 12.5A DEMO
MainPurpose: DC/DC, Step Down Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation Boards - DC/DC & AC/DC (Off-Line) SMPS Frequency-Switching: 400kHz RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 OutputsandType: 1, Non-Isolated REACHStatus: REACH Unaffected Current-Output: 12.5A Series: eGaN® SuppliedContents: Board(s) Voltage-Output: 19V BoardType: Fully Populated UtilizedIC/Part: dsPIC33CK32MP102, EPC2038, EPC2053, EPC2055 Voltage-Input: 44V ~ 60V RegulatorTopology: Buck Mfr: EPC Package: Box HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: DC-DC 44-60VIN 19VOUT 12.5A DEMO
MainPurpose: DC/DC, Step Down Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation Boards - DC/DC & AC/DC (Off-Line) SMPS Frequency-Switching: 400kHz RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 OutputsandType: 1, Non-Isolated REACHStatus: REACH Unaffected Current-Output: 12.5A Series: eGaN® SuppliedContents: Board(s) Voltage-Output: 19V BoardType: Fully Populated UtilizedIC/Part: dsPIC33CK32MP102, EPC2038, EPC2053, EPC2055 Voltage-Input: 44V ~ 60V RegulatorTopology: Buck Mfr: EPC Package: Box HTSUS: 8543.70.9860
EPC2032ENGR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal ProcedureUsing eGaN® FETs 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 48A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 11mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 15nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1530pF @ 50V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1124-ND- BOARD DEV FOR EPC2032 100V 其它名称: 917-EPC2032ENGR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal ProcedureUsing eGaN® FETs 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 48A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 11mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 15nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1530pF @ 50V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1124-ND- BOARD DEV FOR EPC2032 100V 其它名称: 917-EPC2032ENGR
EPC9102
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，隔离 电压 - 输出: 12V 电流 - 输出: 8A 电压 - 输入: 36V ~ 60V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 375kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2001
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，隔离 电压 - 输出: 12V 电流 - 输出: 8A 电压 - 输入: 36V ~ 60V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 375kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2001
EPC2035
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 60V 1A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 800µA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.15 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 115 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 60V 1A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 800µA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.15 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 115 pF @ 30 V