EPC2101ENGRT
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
物料参数
| 制造商: | EPC |
| 系列: | * |
| 零件状态: | Digi-Key 停产 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A，38A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.5 毫欧 @ 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.7nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 300pF @ 30V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |