NCE
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NCE82H110D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=82V ID=110A PD=200W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 82V 连续漏极电流Id@25℃: 110A 导通电阻Rds On(Max): 7.0mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 120nC 输入电容(Ciss)(Max): 6400pF 功率(Max): 200W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-263-2L
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=82V ID=110A PD=200W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 82V 连续漏极电流Id@25℃: 110A 导通电阻Rds On(Max): 7.0mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 120nC 输入电容(Ciss)(Max): 6400pF 功率(Max): 200W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-263-2L
NCE2305
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道，-20V，-4.1A，<52m欧@-4.5V，比2301电流稍大点。
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5.4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 7.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道，-20V，-4.1A，<52m欧@-4.5V，比2301电流稍大点。
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5.4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 7.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE6008AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: VDS=60V ID=8A PD=1.8W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 8A 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 1600pF 功率(Max): 2.1W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOP-8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: VDS=60V ID=8A PD=1.8W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 8A 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 1600pF 功率(Max): 2.1W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOP-8
NCE3050K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
NCE0106Z
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
NCE65TF130T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
NCE65T260D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W