NCE3050K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):60W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:60W
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:50A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
输入电容:2nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):23nC
高度:2.40mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:2pin
价格梯度 价格
1+¥0.4410
包装:1 库存:0