NCE82H110D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管>>MOSFETs
描述
VDS=82V ID=110A PD=200W VGS=±20V
物料参数
| 产品分类: | MOSFETs晶体管 |
| 阈值电压Vgs(th): | 4V@250µA |
| 漏极电流Idss: | 1uA |
| FET类型: | N沟道 |
| 元件生命周期: | Active |
| 存储温度: | -55~+175℃ |
| 引线数量: | 3Pin |
| 原产国家: | China |
| 品牌: | NCE |
| 零件状态: | 在售 |
| 漏源电压(Vdss): | 82V |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 110A |
| 导通电阻Rds On(Max): | 7.0mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 120nC |
| 输入电容(Ciss)(Max): | 6400pF |
| 功率(Max): | 200W |
| 工作温度(Tj): | -55°C~175°C |
| 安装类型: | 表面贴装(SMT) |
| 封装/外壳: | TO-263-2L |