NCE
商品列表
NCE65TF130
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
NCEP0178A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A
NCEP1580GU
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳:DFN5*6 FET类型:N-channel 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:80A
封装/外壳: DFN5*6 FET类型: N-channel 栅极电压Vgs: 20V 漏源极电压Vds: 150V 连续漏极电流Id: 80A Rds On(Max)@Id,Vgs: 10mΩ Pd-功率耗散(Max): 160W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳:DFN5*6 FET类型:N-channel 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:80A
封装/外壳: DFN5*6 FET类型: N-channel 栅极电压Vgs: 20V 漏源极电压Vds: 150V 连续漏极电流Id: 80A Rds On(Max)@Id,Vgs: 10mΩ Pd-功率耗散(Max): 160W
NCEP0135A
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳:TO-220-3L FET类型:N-Channel 工作温度:-55℃~175℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:100V
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳:TO-220-3L FET类型:N-Channel 工作温度:-55℃~175℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:100V
NCE65T260
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W
NCE65T130F
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220F FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 35W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-220F FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 35W
NCE65T180T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 21A Rds On(Max)@Id,Vgs: 150mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 188W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结(COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 21A Rds On(Max)@Id,Vgs: 150mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 188W