SPTECH
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SPT15N65T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 30A 关断损耗: 0.1mJ 功率耗散: 27W 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.65V 跃迁频率: - 导通损耗: 0.75mJ 封装/外壳: TO220MF 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 15ns 高度: 19.35mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 30A 关断损耗: 0.1mJ 功率耗散: 27W 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.65V 跃迁频率: - 导通损耗: 0.75mJ 封装/外壳: TO220MF 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 15ns 高度: 19.35mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
BU406D
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管200V 7A TO252
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 65W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 200V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 70@2A，5V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管200V 7A TO252
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 65W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 200V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 70@2A，5V 引脚数: 3Pin
2SC4131
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 360
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 360
SPT25N120U1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 关断损耗: 0.65mJ 功率耗散: 260W 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2.05V 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): - 开通延迟时间: 62ns 高度: 25.57mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 关断损耗: 0.65mJ 功率耗散: 260W 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2.05V 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): - 开通延迟时间: 62ns 高度: 25.57mm 引脚数: 3Pin
2SC3834
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 脚间距: 5.45mm 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 脚间距: 5.45mm 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN
TIP36C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SC3320
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 应用程序开关调节器超声波发生器高频逆变器通用功率放大器
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 应用程序开关调节器超声波发生器高频逆变器通用功率放大器
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
BUX48A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 适用于高压、高速、电源开关的感应电路，其中下降时间是至关重要的。它们适用于线路操作的切换模式应用，例如：·开关调节器、逆变器、电磁阀和继电器驱动器、电机控制、偏转电路
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vce(Max): 450V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+200℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 450V 配置: 单路 最小包装: 100pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 适用于高压、高速、电源开关的感应电路，其中下降时间是至关重要的。它们适用于线路操作的切换模式应用，例如：·开关调节器、逆变器、电磁阀和继电器驱动器、电机控制、偏转电路
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vce(Max): 450V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+200℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 450V 配置: 单路 最小包装: 100pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN 引脚数: 4Pin
2SC4552
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 极性: NPN 跃迁频率: 120MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 极性: NPN 跃迁频率: 120MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
2SA1186
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin