SPT15N65T1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/15A沟槽场阻IGBT
物料参数
安装类型: | 插件 |
正向电流: | 30A |
关断损耗: | 0.1mJ |
功率耗散: | 27W |
集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
包装: | Tube packing |
Vce饱和压降: | 1.65V |
跃迁频率: | - |
导通损耗: | 0.75mJ |
封装/外壳: | TO220MF |
工作温度: | -40℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
最小包装: | 30pcs |
开通延迟时间: | 15ns |
高度: | 19.35mm |
DC电流增益(hFE): | - |
引脚数: | 3Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥7.9900 |
10+ | ¥6.7900 |
50+ | ¥6.1400 |
100+ | ¥5.3900 |
500+ | ¥5.0600 |
1000+ | ¥4.9100 |
包装:1 | 库存:27 |