SPT15N65T1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/15A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 正向电流: | 30A |
| 安装类型: | 插件 |
| 关断损耗: | 0.1mJ |
| 功率耗散: | 27W |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
| 包装: | Tube packing |
| Vce饱和压降: | 1.65V |
| 跃迁频率: | - |
| 导通损耗: | 0.75mJ |
| 封装/外壳: | TO220MF |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 30pcs |
| 开通延迟时间: | 15ns |
| 高度: | 19.35mm |
| DC电流增益(hFE): | - |
| 引脚数: | 3Pin |