SPTECH
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2SC2334
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200
2N3055
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：15A 功率(Pd)：115W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V Vce饱和压降: 3V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 2.5MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：15A 功率(Pd)：115W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V Vce饱和压降: 3V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 2.5MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: NPN
2SC3866
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 900V Vce饱和压降: 800mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 3A 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 17.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 900V Vce饱和压降: 800mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 3A 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 17.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10 引脚数: 3Pin
TIP35C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: 3MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: 3MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
MJE15032
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 原产国家: Chnia 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 原产国家: Chnia 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
D44H8
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 60V Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 60V Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
NJW1302G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 应用.开关调压器.高频逆变器.通用功率放大器
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 极性: PNP 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 应用.开关调压器.高频逆变器.通用功率放大器
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 极性: PNP 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: PNP
2SC4237
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管800V 12A 150W
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 1200V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 极性: NPN 跃迁频率: 8MHz 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 18 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管800V 12A 150W
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 1200V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 极性: NPN 跃迁频率: 8MHz 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 18 晶体管类型: NPN
2SA1106
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 专为音频和通用用途的应用程序而设计
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 专为音频和通用用途的应用程序而设计
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
2SA1943
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 功率放大器应用·推荐用于100W高保真音频放大器输出级
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 集射极击穿电压Vce(Max): 230V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 230V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 55
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 功率放大器应用·推荐用于100W高保真音频放大器输出级
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 集射极击穿电压Vce(Max): 230V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 230V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 55