SPT25N120U1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:50A
安装类型:插件
关断损耗:0.65mJ
功率耗散:260W
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
包装:Tube packing
Vce饱和压降:2.05V
跃迁频率:-
长x宽/尺寸:16.13 x 5.21mm
导通损耗:1.9mJ
封装/外壳:TO-247-3
工作温度:-40℃~+150℃
集电极电流 Ic:50A
配置:单路
高度:25.57mm
DC电流增益(hFE):-
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥7.1500
10+¥6.6000
30+¥6.4900
包装:1 库存:0