SPT25N120U1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

安装类型:插件
正向电流:50A
品牌:SPTECH
功率耗散:260W
Vce饱和压降:2.05V
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
包装:Tube packing
跃迁频率:-
存储温度:-40℃~+150℃
长x宽/尺寸:16.13 x 5.21mm
封装/外壳:TO-247-3
工作温度:-40℃~+150℃
集电极电流 Ic:50A
配置:单路
原产国家:China
高度:25.57mm
DC电流增益(hFE):-