SPTECH
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SPT25N120F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
正向电流: 50A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.32mJ 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 反向恢复电荷: 2570nC 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 35ns 栅极电荷(Qg): 125nC 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
正向电流: 50A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.32mJ 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 反向恢复电荷: 2570nC 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 35ns 栅极电荷(Qg): 125nC 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
2SC3998
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 250W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 跃迁频率: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs DC电流增益(hFE): 30 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 250W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 跃迁频率: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs DC电流增益(hFE): 30 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1232
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 130V 额定功率: 100W Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 130V 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 130V 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 60MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 320
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 130V 额定功率: 100W Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 130V 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 130V 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 60MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 320
2SC4467
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 1.5V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 1.5V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1744
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 300mV 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 80MHz 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 300mV 跃迁频率: 80MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 80MHz 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SC5197
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC4110
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 800mV 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 20MHz 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 800mV 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 20MHz 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1265
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 功率放大器应用·推荐为70W高保真音频放大器输出级应用
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 功率放大器应用·推荐为70W高保真音频放大器输出级应用
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SA1492
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: ·用于音频和通用用途的应用程序
安装类型: 插件 功率耗散: 130W 集电极-基极电压（VCBO）: 180V 额定功率: 130W Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 180V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: ·用于音频和通用用途的应用程序
安装类型: 插件 功率耗散: 130W 集电极-基极电压（VCBO）: 180V 额定功率: 130W Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 180V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SA1141
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 100W Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 115V 极性: PNP 跃迁频率: 90MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 115V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 90MHz 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 100W Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 115V 极性: PNP 跃迁频率: 90MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 115V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 90MHz 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200