SPTECH
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2N3773
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 额定功率: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Box packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 集电极电流 Ic: 16A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 额定功率: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Box packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 集电极电流 Ic: 16A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
SPT50N65F1A
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 180ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 40ns DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 180ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 40ns DC电流增益(hFE): -
2SD998
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 基极电阻（R1）: - 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 最小包装: 30pcs 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 基极电阻（R1）: - 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 最小包装: 30pcs 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
2SC3856
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 130W 额定功率: 130W 集射极击穿电压Vce(Max): 180V Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 180 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 130W 额定功率: 130W 集射极击穿电压Vce(Max): 180V Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 180 引脚数: 3Pin
2SA940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 额定功率: 25W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 跃迁频率: 4MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 额定功率: 25W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 跃迁频率: 4MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT60N65F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 品牌: SPTECH 关断延迟时间: 165ns 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 79ns 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 120A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 品牌: SPTECH 关断延迟时间: 165ns 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 79ns 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 120A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
2SC3997
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 250W 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 250W 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
2SB778
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: ·高功率放大器应用·推荐用于45-50W音频放大器输出级应用
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 额定功率: 80W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: ·高功率放大器应用·推荐用于45-50W音频放大器输出级应用
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 额定功率: 80W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
2KW8629
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 额定功率: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 额定功率: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
NJW3281G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 额定功率: 200W 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 额定功率: 200W 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150