SPTECH
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MP1526
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 260V 跃迁频率: 60MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 260V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 260V 跃迁频率: 60MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 260V 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin
SPT40N120F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 关断延迟时间: 230ns 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 27ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 60ns 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 关断延迟时间: 230ns 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 27ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 60ns 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
2SD717
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 10MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 10MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
D44VH10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 额定功率: 83W 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm DC电流增益(hFE): 35 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 额定功率: 83W 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm DC电流增益(hFE): 35 晶体管类型: NPN
2SC5299
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
2SA1452
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 专为大电流开关应用而设计
安装类型: 插件 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 专为大电流开关应用而设计
安装类型: 插件 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
MJE15033
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 250V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
2SC3058
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 15MHz 存储温度: -65℃~+175℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +175℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 15MHz 存储温度: -65℃~+175℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +175℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1264
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT40N120T1B1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 跃迁频率: - 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 1.2KV 集电极电流 Ic: 40A 原产国家: China 最小包装: 1pcs 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 跃迁频率: - 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 1.2KV 集电极电流 Ic: 40A 原产国家: China 最小包装: 1pcs 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -