SPT50N65F1A

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/50A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:100A
安装类型:插件
品牌:SPTECH
功率耗散:260W
集射极击穿电压Vce(Max):650V
Vce饱和压降:1.8V
包装:Tube packing
极性:NPN
跃迁频率:-
长x宽/尺寸:16.13 x 5.21mm
导通损耗:1.9mJ
封装/外壳:TO-247-3
工作温度:-40℃~+150℃
集电极电流 Ic:50A
配置:单路
最小包装:30pcs
高度:25.57mm
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-
引脚数:3Pin