SPT50N65F1A
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/50A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 正向电流: | 100A |
| 安装类型: | 插件 |
| 关断损耗: | 1.1mJ |
| 关断延迟时间: | 180ns |
| 原始制造商: | SPTECH Electronics Co. Ltd |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
| Vce饱和压降: | 1.8V |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | NPN |
| 跃迁频率: | - |
| 存储温度: | -40℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 16.13 x 5.21mm |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 上升/下降沿时间: | 22ns |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 开通延迟时间: | 40ns |
| DC电流增益(hFE): | - |