SPT50N65F1A
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/50A沟槽场阻IGBT
物料参数
正向电流: | 100A |
安装类型: | 插件 |
品牌: | SPTECH |
功率耗散: | 260W |
集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
Vce饱和压降: | 1.8V |
包装: | Tube packing |
极性: | NPN |
跃迁频率: | - |
长x宽/尺寸: | 16.13 x 5.21mm |
导通损耗: | 1.9mJ |
封装/外壳: | TO-247-3 |
工作温度: | -40℃~+150℃ |
集电极电流 Ic: | 50A |
配置: | 单路 |
最小包装: | 30pcs |
高度: | 25.57mm |
零件状态: | Active |
DC电流增益(hFE): | - |
引脚数: | 3Pin |