SPT60N65F1A1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
650V/60A沟槽场阻IGBT
物料参数
安装类型: | 插件 |
正向电流: | 120A |
品牌: | SPTECH |
功率耗散: | 260W |
集射极击穿电压Vce(Max): | 650V |
Vce饱和压降: | 2.2V |
包装: | Tube packing |
极性: | NPN |
跃迁频率: | - |
长x宽/尺寸: | 16.13 x 5.21mm |
封装/外壳: | TO-247-3 |
上升/下降沿时间: | 79ns |
工作温度: | -40℃~+150℃ |
集电极电流 Ic: | 120A |
配置: | 单路 |
最小包装: | 30pcs |
DC电流增益(hFE)(Min&Range): | - |
零件状态: | Active |
高度: | 25.57mm |
引脚数: | 3Pin |