HUASHUO

HSS3401A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：53mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

HSCB2012
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250μA

HSM6901
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道

HSBB3004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,12A

HSU3014
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：43A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSBA4204
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.314nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSU0139
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W
安装类型: SMT 功率耗散: 102W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 125pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 42mΩ 原产国家: China 输入电容: 6.516nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 92nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 2pin

HSBA3060
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 耐压:30V 电流:48A

HSM2627
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：10.7A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250μA 停产

HSBA4094
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：118A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,20A