HUASHUO

场效应管(MOSFET)

类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.314nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)