HUASHUO

HSM4094
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSS2307A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA

HSCB3010
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA0139
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,10A

HSP18N20
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,9A

HSS3400A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,5.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250uA

HSU16N25
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：250mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.0V@250μA

HSS3402A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：34mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250μA

HSS2306A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBB6066
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.4mΩ@10V,20A