HUASHUO

HSP150N02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250uA

HSU4004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSBA3058
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSM4062
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 耐压:40V 电流:9.5A

DW01
供应商: Anychip Mall
分类: 电池管理

HSS2312A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA 停产

HSP3018B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>205A</SPAN> 功率(Pd)：187W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,30A

FDN335N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：710mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@4.5V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250μA

HSBB6115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs PRPAK3X3 P-Channel 26A
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250μA 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 额定功率: 5.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 26A 封装/外壳: PRPAK_3X3MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 3.635nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 类型: 1个P沟道

HSBF3202
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)