HUASHUO
商品列表
HSP6032A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
HSP4048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):210A 功率(Pd):178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):210A 功率(Pd):178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
HSS2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,200mA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,200mA
HSS2319
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):3.2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):3.2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
HSBB4016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,10A
HSM0026
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,7A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):7.5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,7A
HSU4006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):44.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):44.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
AO3407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA
HSS2308A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A
HSK4N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):165mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):165mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA