HUASHUO

HSM4204
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSH120N85
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA

HSBE2730
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.47W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA

HSP0016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27A 功率(Pd)：87W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：47mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSM3303
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSS3415E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250uA

BSS84
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 350mW
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 击穿电压: 60V 功率耗散: 350mW 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 300mA 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃(TJ) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6Ω 原产国家: China 输入电容: 170pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.15mm 零件状态: Active

HSCC8211
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSBB3058
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,12A

HSS3N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,3A