HSK4N10
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：165mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA