HUASHUO

HSS6107
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSS2305A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.9A 功率(Pd)：1.31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSS3404A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSBA0048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.6mΩ@10V,13.5A

HSM4410
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSU18N20
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSS3407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.1A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

IRLML2502
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:3.6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA

HSU6008
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：20.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA3115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.8mΩ@10V,10A