HUASHUO

HSBA3054
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSBA3031
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM4313
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.004nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：80pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSBB3214
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：33A 功率(Pd)：26W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,15A

HSU6903
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 停产

HSU6004
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：34.7W TO252
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 击穿电压: 60V 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 23A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.65 x 5.70mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin

HSS2302A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

HSBA3062
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.4V@250μA

AO3415
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
封装/外壳: SOT23L 安装类型: SMT 功率耗散: 840mW 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 连续漏极电流Id@25℃: 4.3A 漏源电压(Vdss): 20V 极性: P-沟道 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm

HSS2333
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,8A