HSBE2730
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.47W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA