HUASHUO

HSU60N02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSP6024A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：260W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

HSBB0012
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,5A

HSP0139
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSS2302B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA

HSU3016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：96A 功率(Pd)：62W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSBA6016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSH200N02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>200W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,30A

HSBA4048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSBA6214
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)