HSCB1216
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA