HUASHUO

HSH190N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：190A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA 停产

HSF10N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1Ω@10V,6.5A 停产

HSBA3004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：58A 功率(Pd)：46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.317nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：131pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSBA20N15S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W
封装/外壳: PRPAK5x6 安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流Id@25℃: 23A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 5.90 x 5.30mm

HSD6016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：47A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA 停产

HSH6040
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：166W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

FDN338P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSU1241
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16.5mΩ@10V,15A

HSCE2530
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@4.5V,20A

HSU6113
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：31.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA