HUASHUO

HSBB3115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.7mΩ@10V,16A

HSBE2738
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.47W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

AO3401A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 Vds=30V Id=4.2A Pd=1W 100mΩ@2.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: 900mV 额定功率: 1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,3A 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin

HSBB3105
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,30A

HSS2301C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSM4407
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A

HSU4103
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：27A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM3056
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSS3409A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA

HSCS2050
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA