HSBA20N15S
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):72.6W
物料参数
封装/外壳: | PRPAK5x6 |
安装类型: | SMT |
品牌: | HUASHUO |
配置: | 单路 |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 150V |
连续漏极电流Id@25℃: | 23A |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
长x宽/尺寸: | 5.90 x 5.30mm |