HSBA20N15S

品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):72.6W

物料参数

封装/外壳:PRPAK5x6
安装类型:SMT
品牌:HUASHUO
配置:单路
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):150V
连续漏极电流Id@25℃:23A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:5.90 x 5.30mm