HUASHUO

HSBA100P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.3mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSU4113
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSM4113
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 栅极电荷: 9nC 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 阈值电压Vgs(th): 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.5A 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 80pF 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1004pF 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 功率耗散（最大值）: 3.1W 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻Rds On(Max): 40mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active

HSBA6115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs PRPAK5X6 P-Channel 35A
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 52.1W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 连续漏极电流Id@25℃: 35A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 60V 长x宽/尺寸: 5.30 x 6.35mm 封装/外壳: PRPAK5x6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容(Ciss)(Max): 3.635nF 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 高度: 1.20mm 引脚数: 8Pin

HSBB3002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,10A

HSS6014
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSU28N15
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,20A

HSS1N20
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：710mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9Ω@10V,1A

HSBB8008
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.9mΩ@10V,12A

HSW6604
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道