HSM4113
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | HUASHUO |
| 栅极电荷: | 9nC |
| 原始制造商: | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 阈值电压Vgs(th): | 2.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 7.5A |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 封装/外壳: | SO8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 80pF |
| 配置: | Single |
| 输入电容(Ciss)(Max): | 1004pF |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 功率耗散（最大值）: | 3.1W |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 导通电阻Rds On(Max): | 40mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃ |
| 零件状态: | Active |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5880 |
| 100+ | ¥0.4900 |
| 2500+ | ¥0.4704 |
| 包装：1 | 库存：890 |