HUASHUO

HSBB6113
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A

HSBA6066
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.4mΩ@10V,30A

HSCA2030
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSU0004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@10V,10A

HSU4115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 阈值电压Vgs(th): 1.6V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 52A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 3.5nF 反向传输电容Crss: 222pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 27.9nC 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道

HSU80N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HSBA3056
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：73A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

HSBB3054
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,20A

HSP0048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,13.5A

HSU6002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA