HSP6113
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：50pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)