HUASHUO

HSCB2903
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A；4.5A 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,3A

HSM4435
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.5A 功率(Pd)：3.1W
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 阈值电压: 2.5V 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 158pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.345nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12.6nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道

HSBA4052
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSD6004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 停产

HSM3002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA3014
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：41.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSCB2016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,16A

HSK0008
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@10V,2A

HSM3305
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HSST3139
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA