HSM6115
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | HUASHUO |
| 功率耗散: | 5.2W |
| 原始制造商: | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 阈值电压Vgs(th): | 2.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 11A |
| 极性: | P-沟道 |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.00 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 25mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 25nC |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |